2.5—10Gb／s HEMT IC全耗尽型光驱动电路中器件性能的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 袁志鹏; 高建军 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 6期号:3页码:5，145-149 |
| 关键词 | Hemt器件 性能研究 光纤通信 调制器驱动电路 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 英文摘要 | 主要坑速光纤通信系统中调制器驱动电路ＨＥＭＴ ＩＣ设计开展研究。着重讨论了ＰＨＥＭＴ器件阈值电压、特征频率对外调制驱动电路特性的影响，给出了满足电路性能要求的器件参数范围；对２．５￣１０Ｇｂ／ｓ ＰＨＥＭＴ ＩＣ光驱动电路进行了计算机仿真，眼图模拟结果表明满足２．５￣１０Ｇｂ／ｓ高速光纤通信系统需要。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/628]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 袁志鹏,高建军. 2.5—10Gb／s HEMT IC全耗尽型光驱动电路中器件性能的研究[J]. 功能材料与器件学报,2000,6(3):5，145-149. |
| APA | 袁志鹏,&高建军.(2000).2.5—10Gb／s HEMT IC全耗尽型光驱动电路中器件性能的研究.功能材料与器件学报,6(3),5，145-149. |
| MLA | 袁志鹏,et al."2.5—10Gb／s HEMT IC全耗尽型光驱动电路中器件性能的研究".功能材料与器件学报 6.3(2000):5，145-149. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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