GaAs的ICP选择刻蚀研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘训春; 王惟林 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 6期号:3页码:4，174-177 |
| 关键词 | Gaas／algaas Icp 选择刻蚀 干法刻蚀 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 英文摘要 | 选择刻蚀在ＧａＡｓ工艺中是非常重要的一步。由于湿法腐蚀存在钻蚀和选择性差，且精度难以控制，因此有必要进行干法刻蚀的研究。虽然采用反应离子刻蚀（ＲＩＥ）、磁增强反应离子刻蚀（ＭＥＲＩＥ）可以进行选择刻蚀，但是这两种方法在挖槽时会对器件造成较大损伤，影响器件性能。感应耦合等离子刻蚀（ＩＣＰ）是一种低损伤、高刻蚀速率高选择比的刻蚀方法，在ＧａＡｓ器件的制造中有突出的优点。本工作进行ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/630]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘训春,王惟林. GaAs的ICP选择刻蚀研究[J]. 功能材料与器件学报,2000,6(3):4，174-177. |
| APA | 刘训春,&王惟林.(2000).GaAs的ICP选择刻蚀研究.功能材料与器件学报,6(3),4，174-177. |
| MLA | 刘训春,et al."GaAs的ICP选择刻蚀研究".功能材料与器件学报 6.3(2000):4，174-177. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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