半导体器件与集成电路的不断小型化要求特征尺寸越来越小，极端远紫外光刻是5种下一代光刻技术候选者之一，它的目标是瞄准70纳米及70纳米以下的特征尺寸光刻。本文从极端远紫外光源、极端远紫外光学系统、反射掩模、光刻胶、光刻机等方面对极端远紫外光刻技术进行了分析论述，并且对它的应用前景进行了简要分析。