全新深亚微米X射线T型栅工艺
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韩勇; 彭良强; 谢常青 ; 陈大鹏; 孙加兴; 李兵; 叶甜春; 伊福庭; 张菊芳
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| 刊名 | 北京同步辐射装置年报
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| 出版日期 | 2001 |
| 期号 | 1页码:3，142-144 |
| 关键词 | Gaas 半导体材料 亚微米x射线t型栅工艺 制造 半导体器件 X射线光刻 同步辐射 砷化镓 |
| 英文摘要 | GaAs半导体材料可以提高器件运行速度，日益引起人们的注意，但是也给器件制造者带来了许多问题。在本文个，一个全新的可应用于HEMT器件的深亚微米X射线T型栅工艺被提出来，该工艺采用三层胶方法，曝光实验是在北京同步辐射3BlA束线上进行的，并且取得了好的结果。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/654]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩勇,彭良强,谢常青,等. 全新深亚微米X射线T型栅工艺[J]. 北京同步辐射装置年报,2001(1):3，142-144. |
| APA | 韩勇.,彭良强.,谢常青.,陈大鹏.,孙加兴.,...&张菊芳.(2001).全新深亚微米X射线T型栅工艺.北京同步辐射装置年报(1),3，142-144. |
| MLA | 韩勇,et al."全新深亚微米X射线T型栅工艺".北京同步辐射装置年报 .1(2001):3，142-144. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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