电子束曝光高斯分布束斑的Monte Carlo模拟
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈宝钦; 任黎明 |
| 刊名 | 微细加工技术
 |
| 出版日期 | 2001 |
| 期号 | 3页码:4，60-63 |
| 关键词 | 电子束曝光 蒙特卡洛法 高斯分布束斑 |
| ISSN号 | 1003-8213 |
| 英文摘要 | 经地严格论证，提出一种计算简便，易于软件实现的电子束束斑直径定义方法，在此基础上运用Monte Carlo方法对高斯分布电子束斑进行模拟，给出模拟电子数分别为5000，20000，50000，100000时的模拟结果。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/658]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈宝钦,任黎明. 电子束曝光高斯分布束斑的Monte Carlo模拟[J]. 微细加工技术,2001(3):4，60-63. |
| APA | 陈宝钦,&任黎明.(2001).电子束曝光高斯分布束斑的Monte Carlo模拟.微细加工技术(3),4，60-63. |
| MLA | 陈宝钦,et al."电子束曝光高斯分布束斑的Monte Carlo模拟".微细加工技术 .3(2001):4，60-63. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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