较薄坡莫合金薄膜的磁性能和结构
文献类型：期刊论文
| 作者 | 于广华; 夏洋 |
| 刊名 | 真空科学与技术
 |
| 出版日期 | 2001 |
| 卷号 | 21期号:5页码:4，419-422 |
| 关键词 | Nife薄膜 |
| ISSN号 | 0253-9748 |
| 英文摘要 | 基于辉光放电原理在不同的溅射气压下制备的NiFe薄膜，发现较低溅射气压下比较高溅射气压下制备的NiFe薄膜的磁性能要好得多。较低溅射气压下制备的NiFe(12nm)薄膜，各向异性磁电阻（AMR）值达到1．2％，而其矫顽力却只有127．4A／m。结构分析表明：较低溅射气压下制备的NiFe薄膜结构缺陷较少，内应力小；而较高溅射气压下制备的NiFe薄膜结构缺陷较多，内应力大。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/670]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 于广华,夏洋. 较薄坡莫合金薄膜的磁性能和结构[J]. 真空科学与技术,2001,21(5):4，419-422. |
| APA | 于广华,&夏洋.(2001).较薄坡莫合金薄膜的磁性能和结构.真空科学与技术,21(5),4，419-422. |
| MLA | 于广华,et al."较薄坡莫合金薄膜的磁性能和结构".真空科学与技术 21.5(2001):4，419-422. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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