Monte Carlo方法模拟低能电子束曝光电子散射轨迹
文献类型：期刊论文
| 作者 | 任黎明; 陈宝钦 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2001 |
| 卷号 | 22期号:12页码:6，1519-1524 |
| 关键词 | 电子束曝光 电子散射 蒙特卡洛法 半导体工艺 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 建立了一个适用于描述低能电子散射的物理模型，利用Monte Carlo方法对低能电子在多元多层介质中的散射过程进行模拟。低能电子弹性散射采用较严格的Mott截面描述，为了节约机时，利用查表与线性插值方法获得Mott截面值；低能电子非弹性散射能量损失采用Joy修正的Bethe公式计算，并对其加以改进，引入多元介质平均电离电位、平均原子序数、平均原子量概念，利用线性插值方法给出光刻胶PMMA对应的k值。对电子穿越多层介质提出一种新的边界处理方法。在此基础上运用Monte Carlo方法模拟高斯分布低能电子束在PMMA－衬底中的复杂散射过程。模拟结果表明低能电子束曝光具有曝光效率高、邻近效应低、对衬底损伤轻等优点，与Lee、Peterson等人通过实验得出的结论相符。该研究将为电子束曝光技术的定量研究提供一定的理论依据。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/672]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 任黎明,陈宝钦. Monte Carlo方法模拟低能电子束曝光电子散射轨迹[J]. 半导体学报,2001,22(12):6，1519-1524. |
| APA | 任黎明,&陈宝钦.(2001).Monte Carlo方法模拟低能电子束曝光电子散射轨迹.半导体学报,22(12),6，1519-1524. |
| MLA | 任黎明,et al."Monte Carlo方法模拟低能电子束曝光电子散射轨迹".半导体学报 22.12(2001):6，1519-1524. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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