低电压Charge—Recovery逻辑电路的设计
文献类型:期刊论文
作者 | 仇玉林; 李晓民 |
刊名 | 半导体学报
![]() |
出版日期 | 2001 |
卷号 | 22期号:10页码:5,1352-1356 |
关键词 | 逻辑电路 |
ISSN号 | 0253-4177 |
英文摘要 | 提出了一种新的适用于低电压工作的semi-adiabatic逻辑电路--Dual-Swing Charge-Recovery Logic(DSCRL)。该电路由CMOS-latch-type电路及负载驱动电路构成,对负载的驱动为full-adiabatic过程。DSCRL的电源为六相双峰值脉冲电源,低摆幅脉冲用于驱动负载,高摆幅脉冲用于驱动CMOS-latch-type电路。降低负载上摆幅时驱动负载的NMOS管的栅压可以保持不变,有效地解决了传统的adiabatic电路在低电压工作时charge-recovery效率降低的问题。文中比较了DSCRL电路与部分文献中的semi-adiabatic电路的功耗,DSCRL在低电压工作方面有较为明显的优势。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-05-25 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/684] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 仇玉林,李晓民. 低电压Charge—Recovery逻辑电路的设计[J]. 半导体学报,2001,22(10):5,1352-1356. |
APA | 仇玉林,&李晓民.(2001).低电压Charge—Recovery逻辑电路的设计.半导体学报,22(10),5,1352-1356. |
MLA | 仇玉林,et al."低电压Charge—Recovery逻辑电路的设计".半导体学报 22.10(2001):5,1352-1356. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。