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低电压Charge—Recovery逻辑电路的设计

文献类型:期刊论文

作者仇玉林; 李晓民
刊名半导体学报
出版日期2001
卷号22期号:10页码:5,1352-1356
关键词逻辑电路
ISSN号0253-4177
英文摘要提出了一种新的适用于低电压工作的semi-adiabatic逻辑电路--Dual-Swing Charge-Recovery Logic(DSCRL)。该电路由CMOS-latch-type电路及负载驱动电路构成,对负载的驱动为full-adiabatic过程。DSCRL的电源为六相双峰值脉冲电源,低摆幅脉冲用于驱动负载,高摆幅脉冲用于驱动CMOS-latch-type电路。降低负载上摆幅时驱动负载的NMOS管的栅压可以保持不变,有效地解决了传统的adiabatic电路在低电压工作时charge-recovery效率降低的问题。文中比较了DSCRL电路与部分文献中的semi-adiabatic电路的功耗,DSCRL在低电压工作方面有较为明显的优势。
语种中文
公开日期2010-05-25
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/684]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
推荐引用方式
GB/T 7714
仇玉林,李晓民. 低电压Charge—Recovery逻辑电路的设计[J]. 半导体学报,2001,22(10):5,1352-1356.
APA 仇玉林,&李晓民.(2001).低电压Charge—Recovery逻辑电路的设计.半导体学报,22(10),5,1352-1356.
MLA 仇玉林,et al."低电压Charge—Recovery逻辑电路的设计".半导体学报 22.10(2001):5,1352-1356.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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