快闪器件研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 欧文 |
| 刊名 | 微纳电子技术
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| 出版日期 | 2002 |
| 卷号 | 39期号:11页码:4,10_13 |
| 关键词 | 快闪存储器 嵌入式应用 编程机理 结构 片擦除特性 |
| ISSN号 | 1671-4776 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 快闪存储器由于其所具有的非挥发电可编程和片擦除特性，在嵌入式应用中有望取代SRAM、DRAM以及磁性存储器，并愈来愈受到重视，产品的市场占有率稳步上升，近10年来发展迅速。随着嵌入式系统和移动设备的发展以及集成电路特征尺寸的进一步缩小，在现有基础上对嵌入式存储器又提出了新的要求，主要有两条：更低的工作电压和更快的擦写速度。对快闪存储器结构方面的研究进行了综述，以利于国内同行对该领域及快闪存储器的机理和研究方向有一个较全面的了解。 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/734]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 欧文. 快闪器件研究[J]. 微纳电子技术,2002,39(11):4,10_13. |
| APA | 欧文.(2002).快闪器件研究.微纳电子技术,39(11),4,10_13. |
| MLA | 欧文."快闪器件研究".微纳电子技术 39.11(2002):4,10_13. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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