电子束曝光的Monte Carlo模拟
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈宝钦; 任黎明 |
| 刊名 | 微细加工技术
 |
| 出版日期 | 2002 |
| 期号 | 1页码:6,1_5,17 |
| 关键词 | 电子束曝光 能量沉积 蒙特卡洛模拟 |
| ISSN号 | 1003-8213 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 建立一个更为严格地描述电子散射过程的物理模型，运用Monte Carlo方法模拟高斯分布电子束在靶体PMMA-衬底中的散射过程，研究不同曝光条件对沉积能密度的影响，获得的沉积能分布规律是：有利于降低邻近效应的高束能、薄胶层，提高曝光分辩率。 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/752]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈宝钦,任黎明. 电子束曝光的Monte Carlo模拟[J]. 微细加工技术,2002(1):6,1_5,17. |
| APA | 陈宝钦,&任黎明.(2002).电子束曝光的Monte Carlo模拟.微细加工技术(1),6,1_5,17. |
| MLA | 陈宝钦,et al."电子束曝光的Monte Carlo模拟".微细加工技术 .1(2002):6,1_5,17. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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