电子束和接触式曝光机的混合曝光技术
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈宝钦 ; 刘明
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| 刊名 | 微细加工技术
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| 出版日期 | 2002 |
| 期号 | 1页码:5,13_17 |
| 关键词 | 接触式曝光机 |
| ISSN号 | 1003-8214 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | Ⅰ线光致抗蚀剂可以同时实用电子束和光学系统曝光，在50kV加速电压下，其曝光剂量为50-100μC/cm^2，曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1分钟。其灵敏度比PMMA快5倍，分辩率为0.5μm。采用两方法制备CaAsPHEMT：一种用Ⅰ线光致抗蚀剂，对源、漏及栅全部都采用电子束曝光，制备了0.5μm栅长的GaAs PHEMT；另一种将源、漏及栅分割成两部分，其中精细部分由电子束曝光，其余部分由光学系统曝光，用这种方法制备了0.25μm栅长的GaAs PHEMT。Ⅰ |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/754]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈宝钦,刘明. 电子束和接触式曝光机的混合曝光技术[J]. 微细加工技术,2002(1):5,13_17. |
| APA | 陈宝钦,&刘明.(2002).电子束和接触式曝光机的混合曝光技术.微细加工技术(1),5,13_17. |
| MLA | 陈宝钦,et al."电子束和接触式曝光机的混合曝光技术".微细加工技术 .1(2002):5,13_17. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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