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RF集成电感的设计与寄生效应分析

文献类型:期刊论文

作者钱鹤; 李力南
刊名固体电子学研究与进展
出版日期2002
卷号22期号:2页码:5,153_157
关键词Rf 集成电感 寄生效应 射频 品质因数 Cmos 集成电路 品质因数q
ISSN号1000-3819
产权排序1
英文摘要分析了体硅CMOS RF集成电路中电感的寄生效应,以及版图参数对电感品质因数Q的影响,并通过Matlab程序模拟了在衬底里电阻、金属条厚度、氧化层厚度改变时电感品质因数的变化,分析了不同应用频率时版图参数在寄生效应中所起的作用,得出了几条实用的设计原则并进行了实验验证,实验结果与模拟值符合得很好,表明此模拟方法与所得结论均可有效地用于指导射频(RF)集成电路中集成电感的设计。
公开日期2010-05-25
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/768]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
推荐引用方式
GB/T 7714
钱鹤,李力南. RF集成电感的设计与寄生效应分析[J]. 固体电子学研究与进展,2002,22(2):5,153_157.
APA 钱鹤,&李力南.(2002).RF集成电感的设计与寄生效应分析.固体电子学研究与进展,22(2),5,153_157.
MLA 钱鹤,et al."RF集成电感的设计与寄生效应分析".固体电子学研究与进展 22.2(2002):5,153_157.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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