亚50nm自对准双栅MOSFET的结构设计
文献类型：期刊论文
| 作者 | 徐秋霞; 殷华湘 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2002 |
| 卷号 | 23期号:12页码:8,1267_1274 |
| 关键词 | 亚50nm 自对准双栅 Mosfet 结构设计 侧墙效应 Scd |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 描述了一种用综合性方法设计的亚50nm自对准双栅MOSFET，该结构能够在改进的主流CMOS技术上实现。在这种方法下，由于各种因素的影响，双栅器件的栅长、硅岛厚度呈现出不同的缩减限制。同时，侧面绝缘层在器件漏电流和电路速度上表现出特有的宽度效应。建立了关于这种效应的模型，并提供了相关的设计指导。另外，还讨论了一种新型的沟道掺杂设计，命名为SCD。利用SCD的DG器件能够在体反模式和阈值控制间取得较好的平衡。最后，总结了制作一个SADG MOSFET的指导原则。 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/770]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐秋霞,殷华湘. 亚50nm自对准双栅MOSFET的结构设计[J]. 半导体学报,2002,23(12):8,1267_1274. |
| APA | 徐秋霞,&殷华湘.(2002).亚50nm自对准双栅MOSFET的结构设计.半导体学报,23(12),8,1267_1274. |
| MLA | 徐秋霞,et al."亚50nm自对准双栅MOSFET的结构设计".半导体学报 23.12(2002):8,1267_1274. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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