提出了一个T等效异质结双极晶体管高频噪声电路模型。该模型是通常用在硅双极晶体管是的Hawkins噪声模型进行改进得到的，主要的改进包括发射极理想因子、发射极电阻、内部BC结电容、外部BC结电容和其它寄生元素对器件噪声性能的影响。为了从等效噪声电路模型中计算出精确的噪声参数，采用了噪声相关矩阵法来计算噪声参数，从而避免了在等效电路交换中可能产生的简化和复杂的噪声测量。进一步利用该模型分析了等效电路元素对器件最小噪声系统的影响，分析计算格物理解释一致。同时通过基于异质结双极晶体管器件物理的公式，给出了器件参数对器件最小噪声系数的影响。