新的非平面FlashMemory结构
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李明; 欧文 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2002 |
| 卷号 | 23期号:11页码:4，1158_1161 |
| 关键词 | 非平面 Flashmemory结构 快闪存储器 编程速度 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 提出了一种为在低压下工作的具有较快编程速度的新的非平面的flash memory单元结构，该结构采用简单的叠栅结构并只需增加一步光刻制做出这一新的沟道结构。对于栅长为1．2μm flash单元，获得了在Vg＝15V，Vd＝5V条件下编程时间为42μs，在Vg＝－5V，Vs=8V条件下的擦除时间为24ms的高性能flash单元，这一新结构的编程速度比普通平面型快闪存储器要快很多。这种新结构flash单元在高速应用场合下具有很好的应用前景。 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/776]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李明,欧文. 新的非平面FlashMemory结构[J]. 半导体学报,2002,23(11):4，1158_1161. |
| APA | 李明,&欧文.(2002).新的非平面FlashMemory结构.半导体学报,23(11),4，1158_1161. |
| MLA | 李明,et al."新的非平面FlashMemory结构".半导体学报 23.11(2002):4，1158_1161. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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