金属Ni诱导横向晶化的结构及工艺进程的优化
文献类型：期刊论文
| 作者 | 卓铭; 徐秋霞 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2002 |
| 卷号 | 23期号:11页码:7,1217_1223 |
| 关键词 | 金属镍 金属诱导横向晶化 晶粒间界 籽晶区 二硅化镍 半导体 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 研究了用Ni进行金属诱导横向晶化（MILC）制备大尺寸多晶硅晶粒的结构改进和工艺条件优化，改进了MILC的结构，通过在坦层氧化层上开出与衬底相连的籽晶区，减少了大量粒多晶硅中的缺陷分布；同时在前人的基础上优化了退火温度及时间，用Secco腐蚀液观察了晶粒大小和间界分布，最后得到了质量更好的大晶粒多晶硅，其大小在70－80μm左右。同时讨论了MILC后生成的NiSi2的去除方法，成功地去除了高温退火后生成的NiSi2，大大减小Ni在多晶硅层中的分布，保证了将MILC方法成功应用于实现深亚微米器件的研究中。 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/780]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 卓铭,徐秋霞. 金属Ni诱导横向晶化的结构及工艺进程的优化[J]. 半导体学报,2002,23(11):7,1217_1223. |
| APA | 卓铭,&徐秋霞.(2002).金属Ni诱导横向晶化的结构及工艺进程的优化.半导体学报,23(11),7,1217_1223. |
| MLA | 卓铭,et al."金属Ni诱导横向晶化的结构及工艺进程的优化".半导体学报 23.11(2002):7,1217_1223. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。