Ge预非晶化硅化物工艺的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘新宇 ; 孙海锋
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2002 |
| 卷号 | 23期号:4页码:4,445_448 |
| 关键词 | Soicmos器件 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 对全耗尽SOI CMOS技术中的Ge预非晶化硅化物工艺进行了研究。Ge的注入，使Si非晶化，减小了硅化物的形成能量。Ti硅化物在非晶层上形成。与传统的Ti硅化物相比，注Ge硅化物工艺有两个明显的特点：一是硅化物形成温度较低；二是硅化物厚度容易控制。采用注Ge硅化物工艺，使源漏薄层电阻约为5.2Ω/□。经过工艺流片，获得了性能良好的器件和电路，其中，当工作电压为5V时，0.8μm级环振电路延迟为45ps。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/794]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘新宇,孙海锋. Ge预非晶化硅化物工艺的研究[J]. 半导体学报,2002,23(4):4,445_448. |
| APA | 刘新宇,&孙海锋.(2002).Ge预非晶化硅化物工艺的研究.半导体学报,23(4),4,445_448. |
| MLA | 刘新宇,et al."Ge预非晶化硅化物工艺的研究".半导体学报 23.4(2002):4,445_448. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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