深亚微米隔离技术—浅沟槽隔离工艺
文献类型：期刊论文
| 作者 | 徐秋霞; 王新柱 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2002 |
| 卷号 | 23期号:3页码:7,323_329 |
| 关键词 | 浅沟槽隔离工艺 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 研究了浅沟槽隔离（STI）工艺的各主要工步步骤：沟槽的形成、沟槽顶角的圆滑、沟槽填充以及化学机械抛光平坦化。使用器件模拟软件Medici和Davinci分析了STI结构的隔离性能以及沟槽隔离MOSFET6的Kink效应和反窄宽度效应。 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/796]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐秋霞,王新柱. 深亚微米隔离技术—浅沟槽隔离工艺[J]. 半导体学报,2002,23(3):7,323_329. |
| APA | 徐秋霞,&王新柱.(2002).深亚微米隔离技术—浅沟槽隔离工艺.半导体学报,23(3),7,323_329. |
| MLA | 徐秋霞,et al."深亚微米隔离技术—浅沟槽隔离工艺".半导体学报 23.3(2002):7,323_329. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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