CMOS／SOI 4Kb SRAM总剂量辐照实验
文献类型：期刊论文
| 作者 | 和致经; 刘新宇
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2002 |
| 卷号 | 23期号:2页码:4,213_216 |
| 关键词 | Cmos／soi |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 研究了CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器的抗总剂量辐照性能。CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器采用1K×4的并行结构体系，其地址取数时间为30ns，芯片尺寸为3.6mm×3.84mm；在工作电压为3V时，CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器抗总剂量高达5×10^5RaD(Si），能较好地满足军用和航天领域的要求。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/798]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 和致经,刘新宇. CMOS／SOI 4Kb SRAM总剂量辐照实验[J]. 半导体学报,2002,23(2):4,213_216. |
| APA | 和致经,&刘新宇.(2002).CMOS／SOI 4Kb SRAM总剂量辐照实验.半导体学报,23(2),4,213_216. |
| MLA | 和致经,et al."CMOS／SOI 4Kb SRAM总剂量辐照实验".半导体学报 23.2(2002):4,213_216. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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