体硅CMOS射频集成电路中高Q值在片集成电感的实现
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张志勇; 海潮和 |
| 刊名 | 微电子学
 |
| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 33期号:1页码:4，15-18 |
| 关键词 | 在片集成电感 射频集成电路 品质因素 钢互连 低k介质 体硅cmos |
| ISSN号 | 1004-3365 |
| 英文摘要 | 制作高Q值在片集成电感一直是体硅CMOS射频集成电路工艺中的一大难点，文章讨论和分析了体硅RF IC工艺中提高在片集成电感Q值的几种常用方法，这些方法都与CMOS工艺兼容。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/806]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张志勇,海潮和. 体硅CMOS射频集成电路中高Q值在片集成电感的实现[J]. 微电子学,2003,33(1):4，15-18. |
| APA | 张志勇,&海潮和.(2003).体硅CMOS射频集成电路中高Q值在片集成电感的实现.微电子学,33(1),4，15-18. |
| MLA | 张志勇,et al."体硅CMOS射频集成电路中高Q值在片集成电感的实现".微电子学 33.1(2003):4，15-18. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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