0．18μm CMOS工艺条件下的信号完整性分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 叶青; 周玉梅 ; 叶甜春; 孙加兴
|
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 24期号:10页码:5，1030-1034 |
| 关键词 | 互连线延迟 信号完整性 串扰 噪声 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 通过模拟分析了0.18μm CMOS工艺条件下的信号完整性问题．在进行串扰延迟和噪声分析中发现了一些规律，这些规律对以后的设计有一定的指导意义． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/828]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 叶青,周玉梅,叶甜春,等. 0．18μm CMOS工艺条件下的信号完整性分析[J]. 半导体学报,2003,24(10):5，1030-1034. |
| APA | 叶青,周玉梅,叶甜春,&孙加兴.(2003).0．18μm CMOS工艺条件下的信号完整性分析.半导体学报,24(10),5，1030-1034. |
| MLA | 叶青,et al."0．18μm CMOS工艺条件下的信号完整性分析".半导体学报 24.10(2003):5，1030-1034. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。