CMOS图像传感器像素中MOSFET晶体管的栅感应噪声原理及分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 仇玉林; 金湘亮; 陈杰 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 24期号:9页码:6,921-926 |
| 关键词 | 栅感应噪声 像素mosfet 改进的aps Cmos图像传感器 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 提出一种CMOS图像传感器像素中MOSFET晶体管的栅感应噪声原理．分析表明MOSFET工作于强反型区的栅感应噪声比工作于亚阈值区明显，但当施加在栅极电压达到3V时，随着ω／ωT比值的增加，MOSFET工作于亚阈值区的栅感应噪声比工作于强反型区明显．同时详细分析了有源像素(APS)中的RESET晶体管的栅感应噪声的影响并提出抑制栅感应噪声的电路． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/832]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 仇玉林,金湘亮,陈杰. CMOS图像传感器像素中MOSFET晶体管的栅感应噪声原理及分析[J]. 半导体学报,2003,24(9):6,921-926. |
| APA | 仇玉林,金湘亮,&陈杰.(2003).CMOS图像传感器像素中MOSFET晶体管的栅感应噪声原理及分析.半导体学报,24(9),6,921-926. |
| MLA | 仇玉林,et al."CMOS图像传感器像素中MOSFET晶体管的栅感应噪声原理及分析".半导体学报 24.9(2003):6,921-926. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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