应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨荣; 罗晋生 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 24期号:9页码:6，966-971 |
| 关键词 | 应变硅锗 Pmosfet 击穿 模拟 分析 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具，模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系；研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p^+δ掺杂对于击穿特性的影响．发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定，击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低；SiGe／Si异质结对电场分布产生显著影响，同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点；Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响，增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/834]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨荣,罗晋生. 应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性[J]. 半导体学报,2003,24(9):6，966-971. |
| APA | 杨荣,&罗晋生.(2003).应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性.半导体学报,24(9),6，966-971. |
| MLA | 杨荣,et al."应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性".半导体学报 24.9(2003):6，966-971. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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