InGaP／GaAs HBT微波功率放大器的设计
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘训春; 钱永学 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 24期号:7页码:5，753-757 |
| 关键词 | 异质结双极晶体管 Gummel－poon模型 Ab类功率放大器 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 采用模拟退火算法提取出异质结双极晶体管器件的大信号Gummel—Poon模型参数，利用所提取出的模型参数设计出具有很低静态功耗的1900MHz两级AB类功率放大器．该功故的功率增益为26dB，1dB压缩点输出功率为28dBm，对应的功率附加效率和邻近信道功率比分别为38．8％、-30．5dBc，1dB压缩点处的各阶谐波功率均小于-40dBc． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/836]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘训春,钱永学. InGaP／GaAs HBT微波功率放大器的设计[J]. 半导体学报,2003,24(7):5，753-757. |
| APA | 刘训春,&钱永学.(2003).InGaP／GaAs HBT微波功率放大器的设计.半导体学报,24(7),5，753-757. |
| MLA | 刘训春,et al."InGaP／GaAs HBT微波功率放大器的设计".半导体学报 24.7(2003):5，753-757. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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