兼容标准CMOS工艺的高压器件设计与模拟
文献类型：期刊论文
| 作者 | 饶竞时; 刘奎伟; 韩郑生 ; 钱鹤; 陈则瑞; 于洋; 仙文岭
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 24期号:7页码:5，758-762 |
| 关键词 | 高压cmos 0．5μm 兼容工艺 模拟 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 在Synopsys TCAD软件环境下，模拟实现了与0．5μm标准CMOS工艺兼容的高压CMOS器件，其中NMOS耐压达到108V，PMOS耐压达到-69V．在标准CMOS工艺的基础上添加三块掩膜版和五次离子注入即可完成高压CMOS器件，从而实现高、低压CMOS器件的集成．此高压兼容工艺适用于制作带高压接口的复杂信号处理电路． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/838]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 饶竞时,刘奎伟,韩郑生,等. 兼容标准CMOS工艺的高压器件设计与模拟[J]. 半导体学报,2003,24(7):5，758-762. |
| APA | 饶竞时.,刘奎伟.,韩郑生.,钱鹤.,陈则瑞.,...&仙文岭.(2003).兼容标准CMOS工艺的高压器件设计与模拟.半导体学报,24(7),5，758-762. |
| MLA | 饶竞时,et al."兼容标准CMOS工艺的高压器件设计与模拟".半导体学报 24.7(2003):5，758-762. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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