F1ash器件中氧化硅／氮化硅／氧化硅的特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李明; 欧文; 钱鹤 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 24期号:5页码:4，516-519 |
| 关键词 | 快闪存储器 F1ash 氧化硅／氮化硅／氧化硅 Ono介质层 漏电 临 电场强度 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 对普遍采用的氧化硅／氮化硅／氧化硅(ONO)三层复合结构介质层的制备工艺及特性进行了研究分析，研究了ONO的漏电特性以及顶氧(top oxide)和底氧(bottom oxide)的厚度对ONO层漏电的影响．结果表明，采用较薄的底氧和较厚的顶氧，既能保证较高的临界电场强度，又能获得较薄的等效氧化层厚度，提高耦合率，降低编程电压。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/840]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李明,欧文,钱鹤. F1ash器件中氧化硅／氮化硅／氧化硅的特性[J]. 半导体学报,2003,24(5):4，516-519. |
| APA | 李明,欧文,&钱鹤.(2003).F1ash器件中氧化硅／氮化硅／氧化硅的特性.半导体学报,24(5),4，516-519. |
| MLA | 李明,et al."F1ash器件中氧化硅／氮化硅／氧化硅的特性".半导体学报 24.5(2003):4，516-519. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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