体硅衬底上的CMOS FinFET
文献类型：期刊论文
| 作者 | 殷华湘; 徐秋霞 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 24期号:4页码:6,351-356 |
| 关键词 | Finfet 凹槽 器件特性 Cmos 体硅 场效应器件 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 介绍了一种制作在普通体硅上的CMOS FinFET。除了拥有和原来SOI上FinFET类似的FinFET结构，器件本身在硅衬底中还存在一个凹槽平面MOSFET，同时该器件结构与传统的CMOS工艺完全相容，并应用了自对准硅化物工艺。实验中制作了多种实用该结构的CMOS单管以及CMOS反相器、环振电路，并包括常规的多晶硅和W／TiN金属两种栅电极。分析了实际栅长为110nm的硅基CMOS FinFET的驱动电流和亚阈值特性。反相器能正常工作并且在Vd=3V下201级CMOS环振的最小延迟为146ps/门，研究结果表明在未来VLSI制作中应用该结构的可行性。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/844]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 殷华湘,徐秋霞. 体硅衬底上的CMOS FinFET[J]. 半导体学报,2003,24(4):6,351-356. |
| APA | 殷华湘,&徐秋霞.(2003).体硅衬底上的CMOS FinFET.半导体学报,24(4),6,351-356. |
| MLA | 殷华湘,et al."体硅衬底上的CMOS FinFET".半导体学报 24.4(2003):6,351-356. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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