低开启电压的InGaP／GaAsSb／GaAs双异质结晶体管
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郑丽萍; 严北平 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 24期号:3页码:4，318-321 |
| 关键词 | 开启电压 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 采用窄禁带宽度材料CaAsSb作为异质结晶体管的基区材料，成功研制出了能有效降低电路工作电压和功率损耗的低开启电压的NPN InGaP/GaAsSb/GaAs双异质结晶体管（double heterojunction bipolar transistor，DHBT）。器件性能如下：BE结的正向开启电压（turn-on voltage）仅为0.73V；当IB=1μm A/step时，直流增益达到了100，BVCEO=5-6V。通过对基区不同Sb含量器件的比较得当，器件的直流特性与基区Sb的含量有关。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/850]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑丽萍,严北平. 低开启电压的InGaP／GaAsSb／GaAs双异质结晶体管[J]. 半导体学报,2003,24(3):4，318-321. |
| APA | 郑丽萍,&严北平.(2003).低开启电压的InGaP／GaAsSb／GaAs双异质结晶体管.半导体学报,24(3),4，318-321. |
| MLA | 郑丽萍,et al."低开启电压的InGaP／GaAsSb／GaAs双异质结晶体管".半导体学报 24.3(2003):4，318-321. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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