Ni81Fe19各向异性磁电阻薄膜的工艺和微结构的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 于广华; 赵洪辰; 司红 |
| 刊名 | 功能材料
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| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 34期号:5页码:3，513-514,517 |
| 关键词 | 各向异性磁电阻薄膜 微结构 Ta／ni81fe19薄膜 原子力显微镜 制备 |
| ISSN号 | 1001-9731 |
| 英文摘要 | 在不同本底真空和工作气压下制备了Ta／Ni81Fe19薄膜，并进行了磁性测量和原子力显微镜分析。结果表明较高的本底真空和较低的工作气压下制备的薄膜有较大的各向异性磁电阻值△R／R。其原因是高本底真空和低工作气压导致大晶粒尺寸和低粗糙度。进而降低电子的散射．减小电阻R，增大各向异性磁电阻△R／R。在不同真空度下剞备了(Ni81Fel9)64Cr36／Ni81Fe19薄膜，与以Ta为衬底的薄膜相比，具有更大的各向异性磁电阻值，达到了3．2％，这是国内目前报道的最大值，但它受真空度的影响更大。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/856]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 于广华,赵洪辰,司红. Ni81Fe19各向异性磁电阻薄膜的工艺和微结构的研究[J]. 功能材料,2003,34(5):3，513-514,517. |
| APA | 于广华,赵洪辰,&司红.(2003).Ni81Fe19各向异性磁电阻薄膜的工艺和微结构的研究.功能材料,34(5),3，513-514,517. |
| MLA | 于广华,et al."Ni81Fe19各向异性磁电阻薄膜的工艺和微结构的研究".功能材料 34.5(2003):3，513-514,517. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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