PAE效应的分析与解决
文献类型：期刊论文
| 作者 | 叶青; 周玉梅 ; 杨旭; 黄令仪
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| 刊名 | 半导体技术
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| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 28期号:7页码:3，17-19 |
| 关键词 | Pae效应 芯片 破坏性击穿效应 修复 栅氧化层 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 英文摘要 | PAE效应是芯片在加工过程中，静电对栅氧化层的破坏性击穿效应。本文分析了PAE的成因，提出了几种估量PAE效应的算法，并提出了解决PAE的方法。所提供的计算及解决方法成功地应用在“龙芯-ICPU”的设计中，保证了芯片的加工过程没有PAE效应出现。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/864]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 叶青,周玉梅,杨旭,等. PAE效应的分析与解决[J]. 半导体技术,2003,28(7):3，17-19. |
| APA | 叶青,周玉梅,杨旭,&黄令仪.(2003).PAE效应的分析与解决.半导体技术,28(7),3，17-19. |
| MLA | 叶青,et al."PAE效应的分析与解决".半导体技术 28.7(2003):3，17-19. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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