高性能42nm栅长CMOS器件
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈宝钦 ; 蒋浩杰; 吴德馨; 赵玉印; 徐秋霞; 钱鹤; 韩郑生; 刘明; 侯瑞兵
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 24期号:B05页码:8，153-160 |
| 关键词 | 42nm栅长 Cmos器件 超陡倒掺杂 灰化工艺 高选择比 高各向异性 Co／ti自对准硅化物 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 研究了20～50nmCMOS器件结构及其关键工艺技术，采用这些创新性的工艺技术研制成功了高性能42nm栅长CMOS器件和48nm栅长的CMOS环形振荡器。在电源电压VDD为±1．5V下，NMOS和PMOS的饱和驱动电流，I∞分别为745μA／μm和-530μA／μm，相应的关态漏电流Ioff分别为3．5nA／μm和-15nA／μm。NMOS的亚阈值斜率和DIBL分别为72mV／Dec和34mV／V，PMOS的亚阈值斜率和DIBL分别为82mY／Dec和j7mV／V。栅长为48nm的CMOS57级环形振荡器，在1．5V电源电压下每级延迟为19．9ps。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/868]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈宝钦,蒋浩杰,吴德馨,等. 高性能42nm栅长CMOS器件[J]. 半导体学报,2003,24(B05):8，153-160. |
| APA | 陈宝钦.,蒋浩杰.,吴德馨.,赵玉印.,徐秋霞.,...&侯瑞兵.(2003).高性能42nm栅长CMOS器件.半导体学报,24(B05),8，153-160. |
| MLA | 陈宝钦,et al."高性能42nm栅长CMOS器件".半导体学报 24.B05(2003):8，153-160. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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