电子束直写邻近效应校正技术
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陆晶; 陈宝钦 ; 任黎明; 刘明; 王云翔; 龙世兵; 李泠
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 24期号:B05页码:5，221-225 |
| 关键词 | 纳米结构图形 电子柬直写 蒙特卡罗模拟 邻近效应校正 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 通过蒙特卡罗模拟方法研究电子散射过程，探讨邻近效应产生机理并寻求有效的邻近效应校正途径。实验结果表明：邻近效应现象是一种综合效应，可以通过优化工艺条件有效地抑制邻近效应的影响，使邻近效应校正达到预期的效果。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/872]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陆晶,陈宝钦,任黎明,等. 电子束直写邻近效应校正技术[J]. 半导体学报,2003,24(B05):5，221-225. |
| APA | 陆晶.,陈宝钦.,任黎明.,刘明.,王云翔.,...&李泠.(2003).电子束直写邻近效应校正技术.半导体学报,24(B05),5，221-225. |
| MLA | 陆晶,et al."电子束直写邻近效应校正技术".半导体学报 24.B05(2003):5，221-225. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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