纳米级电子束直写曝光的基础工艺
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陆晶; 刘明 ; 陈宝钦; 王云翔; 龙世兵; 李泠
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 24期号:B05页码:3，226-228 |
| 关键词 | 电子束光刻 混合光刻 邻近效应修正 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 电子束光刻技术具有极高的分辨率，其直写式曝光系统甚至可达到几纳米的加工能力。本文重点对不同的抗蚀剂、电子束／光学系统的混合光刻及邻近效应修正等技术进行了研究。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/874]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陆晶,刘明,陈宝钦,等. 纳米级电子束直写曝光的基础工艺[J]. 半导体学报,2003,24(B05):3，226-228. |
| APA | 陆晶,刘明,陈宝钦,王云翔,龙世兵,&李泠.(2003).纳米级电子束直写曝光的基础工艺.半导体学报,24(B05),3，226-228. |
| MLA | 陆晶,et al."纳米级电子束直写曝光的基础工艺".半导体学报 24.B05(2003):3，226-228. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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