SAL601负性电子束抗蚀剂纳米级集成电路加工
文献类型：期刊论文
| 作者 | 徐秋霞; 王云翔; 刘明 ; 陈宝钦
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| 刊名 | 微纳电子技术
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| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 40期号:7页码:3，167-169 |
| 关键词 | Sal601 负性电子束 抗蚀剂 纳米级集成电路 曝光 |
| ISSN号 | 1671-4776 |
| 英文摘要 | 讨论了采用SAL601负性化学放大电子柬抗蚀剂进行电子束曝光应用于纳米级集成电路加工的实验方法与工艺条件。经过大量实验总结，通过变剂量模型对电子束曝光中电子散射参数进行提取，应用于邻近效应校正软件，针对集成电路曝光图形进行邻近效应校正。校正后的曝光图形经过曝光实验确定显影时间及曝光剂量，最终得到重复性良好的，栅条线宽为70nm的集成电路曝光图形。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/876]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐秋霞,王云翔,刘明,等. SAL601负性电子束抗蚀剂纳米级集成电路加工[J]. 微纳电子技术,2003,40(7):3，167-169. |
| APA | 徐秋霞,王云翔,刘明,&陈宝钦.(2003).SAL601负性电子束抗蚀剂纳米级集成电路加工.微纳电子技术,40(7),3，167-169. |
| MLA | 徐秋霞,et al."SAL601负性电子束抗蚀剂纳米级集成电路加工".微纳电子技术 40.7(2003):3，167-169. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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