MBE生长的跨导为186mS／mm的AlGaN／GaN HEMT
文献类型：期刊论文
| 作者 | 胡国新; 王军喜; 刘宏新; 孙殿照; 曾一平; 李晋闽; 孔梅影; 林兰英; 刘新宇 ; 钱鹤
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| 刊名 | 固体电子学研究与进展
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| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 23期号:4页码:5,484-488 |
| ISSN号 | 1000-3819 |
| 关键词 | 分子束外延 Algan／gan 高电子迁移率晶体管 氮化镓 功率器件 场效应晶体管 |
| 英文摘要 | 用分子束外延(MBE)技术研制出了AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料，其室温迁移率为1035cm^2／V·s、二维电子气浓度为1．0×10^13cm^-2；77K迁移率为2653cm^2／V·s、二维电子气浓度为9．6×10^12cm^-2。用此材料研制了栅长为1μm、栅宽为80μm、源-漏间距为4μm的AlGaN／GaN HEMT，其室温最大非本征跨导为186mS／mm、最大漏极饱和电流密度为925mA／mm、特征频率为18．8GHz。另外，还研制了具有20个栅指(总栅宽为20×80μm=1．6mm)的大尺寸器件，该器件的最大漏极饱和电流为1．33A。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/882]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡国新,王军喜,刘宏新,等. MBE生长的跨导为186mS／mm的AlGaN／GaN HEMT[J]. 固体电子学研究与进展,2003,23(4):5,484-488. |
| APA | 胡国新.,王军喜.,刘宏新.,孙殿照.,曾一平.,...&王晓亮.(2003).MBE生长的跨导为186mS／mm的AlGaN／GaN HEMT.固体电子学研究与进展,23(4),5,484-488. |
| MLA | 胡国新,et al."MBE生长的跨导为186mS／mm的AlGaN／GaN HEMT".固体电子学研究与进展 23.4(2003):5,484-488. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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