一种高性能的新结构IGBT
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李俊峰 ; 程序; 吴郁; 刘兴明; 王哲; 亢宝位; 韩郑生
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 24期号:6页码:6，586-591 |
| 关键词 | 缓冲层 深穿通 Npt-igbt 透明发射区 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 提出了一种低功率损耗的新结构IGBT,该新结构的创新点在于其复合耐压层结构，该耐压层包括深扩散形成的n型缓冲层和硼注入形成的透明背发射区两部分，虽然在正常工作条件下，该新结构IGBT工作于穿通状态，但器件仍具有非穿通IGBT(NPT-IGBT)的优良特性，该新结构IGBT具有比NPT-IGBT更薄的芯片厚度，从而可以获得更好的通态压降和关断功耗之间的折衷。实验结果表明：与NPT-IGBT相比较，新结构IGBT的功率损耗降低了40％。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/884]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李俊峰,程序,吴郁,等. 一种高性能的新结构IGBT[J]. 半导体学报,2003,24(6):6，586-591. |
| APA | 李俊峰.,程序.,吴郁.,刘兴明.,王哲.,...&韩郑生.(2003).一种高性能的新结构IGBT.半导体学报,24(6),6，586-591. |
| MLA | 李俊峰,et al."一种高性能的新结构IGBT".半导体学报 24.6(2003):6，586-591. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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