电子束曝光UV3正性抗蚀剂的工艺研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘明 ; 殷华湘; 王云翔; 徐秋霞
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| 刊名 | 微电子学
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| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 33期号:6页码:5，485-489 |
| 关键词 | 电子束曝光 凹槽图形 Uv3 正性抗蚀剂 曝光延迟效应 光刻 |
| ISSN号 | 1004-3365 |
| 英文摘要 | 为了在体硅CMOSFinFET中用等离子体腐蚀精细凹槽图形，研究了将电子束直写曝光用于原为深紫外光学曝光的UV3正性抗蚀剂的工艺技术；详细分析了包括膜厚、曝光能量、曝光剂量、显影时间、设计尺寸和衬底材料等在内的各类工艺参数与实际曝光图形效果的关系；特别指出了曝光过程中特有的延迟效应及解决办法。采用最终的优化工艺条件，得到了合适的图形效果。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/886]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘明,殷华湘,王云翔,等. 电子束曝光UV3正性抗蚀剂的工艺研究[J]. 微电子学,2003,33(6):5，485-489. |
| APA | 刘明,殷华湘,王云翔,&徐秋霞.(2003).电子束曝光UV3正性抗蚀剂的工艺研究.微电子学,33(6),5，485-489. |
| MLA | 刘明,et al."电子束曝光UV3正性抗蚀剂的工艺研究".微电子学 33.6(2003):5，485-489. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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