新结构MOSFET
文献类型：期刊论文
| 作者 | 林钢; 徐秋霞 |
| 刊名 | 微电子学
 |
| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 33期号:6页码:5，527-530,533 |
| 关键词 | 平面双栅mosfet Finfet 三栅mosfet 环形栅mosfet 竖直结构mosfet 集成电路 |
| ISSN号 | 1004-3365 |
| 英文摘要 | 和传统平面结构MOSFET相比，新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE)，理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET，包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小，这些新结构器件将大有前途。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/888]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林钢,徐秋霞. 新结构MOSFET[J]. 微电子学,2003,33(6):5，527-530,533. |
| APA | 林钢,&徐秋霞.(2003).新结构MOSFET.微电子学,33(6),5，527-530,533. |
| MLA | 林钢,et al."新结构MOSFET".微电子学 33.6(2003):5，527-530,533. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。