高性能六边形发射极InGaP／GaAs异质结双极型晶体管
文献类型：期刊论文
| 作者 | 袁志鹏; 刘洪刚 ; 和致经; 吴德馨
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 24期号:11页码:5，1135-1139 |
| 关键词 | 异质结双极型晶体管 Ingap／gaas 六边形发射极 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 六边形发射极的自对准InGaP／GaAs异质结具有优异的直流和微波性能。采用发射极面积为2μm×10μm的异质结双极型晶体管，VCE偏移电压小于150mV，膝点电压为0．5V(Ic=16mA)，BVCEO大于9V，BVCBO大于14V，特征频率高达92GHz，最高振荡频率达到105GHz，这些优异的性能预示着InGaP／GaAsHBT在超高速数字电路和微波功率放大领域具有广阔的应用前景。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/896]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 袁志鹏,刘洪刚,和致经,等. 高性能六边形发射极InGaP／GaAs异质结双极型晶体管[J]. 半导体学报,2003,24(11):5，1135-1139. |
| APA | 袁志鹏,刘洪刚,和致经,&吴德馨.(2003).高性能六边形发射极InGaP／GaAs异质结双极型晶体管.半导体学报,24(11),5，1135-1139. |
| MLA | 袁志鹏,et al."高性能六边形发射极InGaP／GaAs异质结双极型晶体管".半导体学报 24.11(2003):5，1135-1139. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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