适用于阵列波导光栅制作的厚SiO2陡直刻蚀技术
文献类型：期刊论文
| 作者 | 牛立华; 魏珂; 刘训春; 曹振亚; 王润梅; 罗明雄 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 24期号:11页码:4，1222-1225 |
| 关键词 | 阵列波导光栅（awg） Sio2 感应耦合等离子体刻蚀（icp） |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 采用ICP-98型高密度等离子体刻蚀机进行了厚SiO2陡直刻蚀技术的研究，利用双层掩膜技术解决了“微掩膜现象”问题，刻蚀获得12．4μm的陡直SiO2光波导剖面，并将这一刻蚀技术用于阵列波导光栅的制作中。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/898]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 牛立华,魏珂,刘训春,等. 适用于阵列波导光栅制作的厚SiO2陡直刻蚀技术[J]. 半导体学报,2003,24(11):4，1222-1225. |
| APA | 牛立华,魏珂,刘训春,曹振亚,王润梅,&罗明雄.(2003).适用于阵列波导光栅制作的厚SiO2陡直刻蚀技术.半导体学报,24(11),4，1222-1225. |
| MLA | 牛立华,et al."适用于阵列波导光栅制作的厚SiO2陡直刻蚀技术".半导体学报 24.11(2003):4，1222-1225. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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