蓝宝石衬底AlGaN／GaN共栅共源微波HEMTs器件
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘健; 邵刚; 刘新宇 ; 和致经; 吴德馨
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 25期号:12页码:1567-1572 |
| 关键词 | 共栅共源 宽带 Algan／gan Hemts 蓝宝石 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 报道了蓝宝石衬底AlGaN／GaN共栅共源器件的制备与特性．该器件包括栅长为0．8／1m共源器件与栅长为1μm的共栅器件．实验表明，共栅器件的第二栅压会显著影响器件饱和电流与跨导特性，从而控制功率增益．与共源器件相比，共栅共源器件表现出稍低的fT、较低的反馈、显著增加的功率资用增益及较高的端口阻抗。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/924]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘健,邵刚,刘新宇,等. 蓝宝石衬底AlGaN／GaN共栅共源微波HEMTs器件[J]. 半导体学报,2004,25(12):1567-1572. |
| APA | 刘健,邵刚,刘新宇,和致经,&吴德馨.(2004).蓝宝石衬底AlGaN／GaN共栅共源微波HEMTs器件.半导体学报,25(12),1567-1572. |
| MLA | 刘健,et al."蓝宝石衬底AlGaN／GaN共栅共源微波HEMTs器件".半导体学报 25.12(2004):1567-1572. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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