基于InGaP／GaAs HBT的10Gbps跨阻放大器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘新宇 ; 袁志鹏; 孙海锋; 吴德馨
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 25期号:12页码:1591-1594 |
| 关键词 | 跨阻放大器 Hbt 10gbps Ingap |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 采用InGaP／GaAs HBTs设计并实现了传输速率为10Gbps的跨阻放大器．在电路设计上采用两级放大器级联的形式以提高跨阻增益，在第一级采用了cascade结构，第二级采用了cherry hooper结构以提高电路的带宽和稳定性．测试结果表明，跨阻增益为40dB·Ω，3dB带宽为10GHz。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/926]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘新宇,袁志鹏,孙海锋,等. 基于InGaP／GaAs HBT的10Gbps跨阻放大器[J]. 半导体学报,2004,25(12):1591-1594. |
| APA | 刘新宇,袁志鹏,孙海锋,&吴德馨.(2004).基于InGaP／GaAs HBT的10Gbps跨阻放大器.半导体学报,25(12),1591-1594. |
| MLA | 刘新宇,et al."基于InGaP／GaAs HBT的10Gbps跨阻放大器".半导体学报 25.12(2004):1591-1594. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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