恒压应力下超薄Si3N4／SiO2叠层栅介质与SiO2栅介质寿命比较
文献类型：期刊论文
| 作者 | 林钢; 徐秋霞 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 25期号:12页码:1717-1721 |
| 关键词 | 恒压应力 超薄si3n4／sio2 叠层栅介质 超薄sio2栅介质 栅介质寿命预测 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 以等效氧化层厚度(EOT)同为2．1nm的纯SiO2栅介质和Si3N4／SiO2叠层栅介质为例，给出了恒定电压应力下超薄栅介质寿命预测的一般方法，并在此基础上比较了纯SiO2栅介质和Si3N4／SiO2叠层栅介质在恒压应力下的寿命，结果表明，Si3N4／SiO2叠层栅介质比同样EOT的纯SiO2栅介质有更长的寿命，这说明Si3N4／SiO2叠层栅介质有更高的可靠性。 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/928]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林钢,徐秋霞. 恒压应力下超薄Si3N4／SiO2叠层栅介质与SiO2栅介质寿命比较[J]. 半导体学报,2004,25(12):1717-1721. |
| APA | 林钢,&徐秋霞.(2004).恒压应力下超薄Si3N4／SiO2叠层栅介质与SiO2栅介质寿命比较.半导体学报,25(12),1717-1721. |
| MLA | 林钢,et al."恒压应力下超薄Si3N4／SiO2叠层栅介质与SiO2栅介质寿命比较".半导体学报 25.12(2004):1717-1721. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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