纳米级精细线条图形的微细加工
文献类型：期刊论文
| 作者 | 黄如; 任黎明; 王文平; 陈宝钦; 周毅; 张兴 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 25期号:12页码:1722-1725 |
| 关键词 | 微细加工 电子束光刻 邻近效应校正 Icp刻蚀 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 对分辨率极高的电子束光刻技术和高选择比、高各向异性度的ICP刻蚀技术进行了研究，形成一套以负性化学放大胶SAL-601为电子抗蚀剂的电子束光刻及ICP刻蚀的优化工艺参数，并利用这些优化参数结合电子束邻近效应校正等技术制备出剖面形貌较为清晰的30nm精细线条图形。 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/930]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄如,任黎明,王文平,等. 纳米级精细线条图形的微细加工[J]. 半导体学报,2004,25(12):1722-1725. |
| APA | 黄如,任黎明,王文平,陈宝钦,周毅,&张兴.(2004).纳米级精细线条图形的微细加工.半导体学报,25(12),1722-1725. |
| MLA | 黄如,et al."纳米级精细线条图形的微细加工".半导体学报 25.12(2004):1722-1725. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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