SOIMOSFET寄生双极晶体管效应的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韩郑生 ; 赵洪辰; 海潮和; 钱鹤
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| 刊名 | 电子器件
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 27期号:4页码:575-577 |
| 关键词 | 寄生双极晶体管 增益 掺杂浓度 硅膜厚度 硅化物 |
| ISSN号 | 1005-9490 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 研究了硅膜掺杂浓度，厚度和硅化物厚度等工艺条件对SOIMOSFET寄生双极晶体管增益的影响。提高体区掺杂浓度、增加硅膜和硅化物厚度能够减小增益。原因是：①基区杂质浓度增加，减弱了发射极向基区注人多子，增强了基区向发射区的少子注入；②增加硅化物厚度会增加其横向扩展，减小发射极的注入效率。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/932]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩郑生,赵洪辰,海潮和,等. SOIMOSFET寄生双极晶体管效应的研究[J]. 电子器件,2004,27(4):575-577. |
| APA | 韩郑生,赵洪辰,海潮和,&钱鹤.(2004).SOIMOSFET寄生双极晶体管效应的研究.电子器件,27(4),575-577. |
| MLA | 韩郑生,et al."SOIMOSFET寄生双极晶体管效应的研究".电子器件 27.4(2004):575-577. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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