一种抗总剂量辐照的NMOSFETs
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韩郑生 ; 赵洪辰; 海潮和; 钱鹤
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| 刊名 | 电子器件
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 27期号:4页码:578-580 |
| 关键词 | Soi 总剂量辐照 氮化h2-o2合成栅介质 C型体接触 |
| ISSN号 | 1005-9490 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 在商用SIMOX衬底上制备了抗辐照NMOSFETs，使用的主要技术手段有：氮化H2-O2合成栅介质加固正栅；增加体区掺杂，以提高背栅阈值电压；采用C型体接触结构，消除边缘寄生晶体管。结果表明，在经受l×10^6 rad(Si)的辐照后，器件特性没有明显恶化。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/934]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩郑生,赵洪辰,海潮和,等. 一种抗总剂量辐照的NMOSFETs[J]. 电子器件,2004,27(4):578-580. |
| APA | 韩郑生,赵洪辰,海潮和,&钱鹤.(2004).一种抗总剂量辐照的NMOSFETs.电子器件,27(4),578-580. |
| MLA | 韩郑生,et al."一种抗总剂量辐照的NMOSFETs".电子器件 27.4(2004):578-580. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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