CMOS／SOI 64-kB SR AM抗ESD实验
文献类型：期刊论文
| 作者 | 海潮和; 汤仙明; 韩郑生 ; 周小茵; 赵立新
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| 刊名 | 微电子学
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 34期号:6页码:636-639 |
| 关键词 | Soi Esd 栅控二极管 Sram |
| ISSN号 | 1004-3365 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 设计了一种SOI栅控二极管结构的ESD保护电路，并将其应用到64 kB SRAM电路上，进行了管脚摸底实验和电路的整体抗静电实验。通过实验，研完了ESD保护电路各项参数对ESD性能的影响。实验结果表明，这种结构的ESD保护电路的抗ESD能力达到了设计要求。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/938]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 海潮和,汤仙明,韩郑生,等. CMOS／SOI 64-kB SR AM抗ESD实验[J]. 微电子学,2004,34(6):636-639. |
| APA | 海潮和,汤仙明,韩郑生,周小茵,&赵立新.(2004).CMOS／SOI 64-kB SR AM抗ESD实验.微电子学,34(6),636-639. |
| MLA | 海潮和,et al."CMOS／SOI 64-kB SR AM抗ESD实验".微电子学 34.6(2004):636-639. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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