0．21μm T形栅技术在10Gbps激光驱动电路研制中的应用
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘洪民; 张海英; 刘训春; 罗明雄; 王润梅 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 25期号:10页码:1335-1337 |
| 关键词 | Gaas Phemt T形栅 激光调制驱动电路 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 0．2μm T形栅制作技术在100mm GaAs激光驱动电路芯片研制中获得了成功的应用．优化的栅制作工艺保证了形貌良好的栅线条，获得了优良的晶体管直流参数和高频性能．栅工艺重复性好，整片内器件性能均匀一致，确保了电路的成功研制．实际电路测试结果表明，在100mm GaAs片上制备的PHEMT驱动电路的芯片测试合格率达到70％以上，可靠性良好． |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/944]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘洪民,张海英,刘训春,等. 0．21μm T形栅技术在10Gbps激光驱动电路研制中的应用[J]. 半导体学报,2004,25(10):1335-1337. |
| APA | 刘洪民,张海英,刘训春,罗明雄,&王润梅.(2004).0．21μm T形栅技术在10Gbps激光驱动电路研制中的应用.半导体学报,25(10),1335-1337. |
| MLA | 刘洪民,et al."0．21μm T形栅技术在10Gbps激光驱动电路研制中的应用".半导体学报 25.10(2004):1335-1337. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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