一种新的SOI射频集成电路结构与工艺
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韩郑生 ; 杨荣; 李俊峰; 钱鹤
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| 刊名 | 微电子学
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 34期号:5页码:569-571 |
| 关键词 | Soi工艺 射频集成电路 Ldmos Nmos 掩模版 光刻 硅衬底 集成工艺 Cmos 有源 |
| ISSN号 | 1004-3365 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 立足于与常规CMOS兼容的SOI工艺，提出了电子束／I线混合光刻制造SOI射频集成电路的集成结构和工艺方案。该方案只使用9块掩模版即完成了LDMOS、NMOS、电感、电容和电阻等元件的集成。经过对LDMOS、NMOS的工艺、器件的数值模拟和体硅衬底电感的初步实验，获得了良好的有源和无源器件特性，证明这一简洁的集成工艺方案是可行的。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/952]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩郑生,杨荣,李俊峰,等. 一种新的SOI射频集成电路结构与工艺[J]. 微电子学,2004,34(5):569-571. |
| APA | 韩郑生,杨荣,李俊峰,&钱鹤.(2004).一种新的SOI射频集成电路结构与工艺.微电子学,34(5),569-571. |
| MLA | 韩郑生,et al."一种新的SOI射频集成电路结构与工艺".微电子学 34.5(2004):569-571. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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