部分耗尽0．25μm SOI射频nMOSFET
文献类型：期刊论文
| 作者 | 赵玉印 ; 李俊峰; 杨荣; 柴淑敏; 刘明; 徐秋霞; 钱鹤
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 25期号:9页码:1061-1065 |
| 关键词 | 结构 工艺 仿真 实验 射频 Soi |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 结合多项用于深亚微米集成电路的新技术，提出了用于数GHz射频集成电路的SOI nMOSFET器件结构和制造工艺·经过半导体工艺模拟软件Tsuprem4仿真和优化，给出了主要的工艺步骤和详细的工艺条件．制作了0.25μm SOI射频nMOSFET器件，结构和工艺参数同仿真结果一致，测试获得了优良的或可接受的直流及射频性能。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/960]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵玉印,李俊峰,杨荣,等. 部分耗尽0．25μm SOI射频nMOSFET[J]. 半导体学报,2004,25(9):1061-1065. |
| APA | 赵玉印.,李俊峰.,杨荣.,柴淑敏.,刘明.,...&钱鹤.(2004).部分耗尽0．25μm SOI射频nMOSFET.半导体学报,25(9),1061-1065. |
| MLA | 赵玉印,et al."部分耗尽0．25μm SOI射频nMOSFET".半导体学报 25.9(2004):1061-1065. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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